MSCSM120HM083CAG
Microchip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Full Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 1.2 kV、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 25 V。
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该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Full Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 1.2 kV、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 25 V。
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