Microchip Technology
MSCSM120HM083CAG
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Full Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- 半导体器件
- 安装方式
- Screw Mount
技术参数
8 项参数- 产品
- MOSFET-SiC SBD Modules
- 类型
- Full Bridge
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 反向电压（Vr）
- 1.2 kV
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 25 V
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。