MSCSM120AM50CT1AG
Microchip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 MOSFET / SiC SBD、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 1.2 kV、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 25 V,采用 SP1F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules