MSC080SMA120JS15
Microchip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、下降时间 19 ns,采用 SOT-227-4 封装。
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Microchip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、下降时间 19 ns,采用 SOT-227-4 封装。
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