Microchip Technology
MSC080SMA120JS15
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、下降时间 19 ns，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
15 项参数- 产品
- MOSFET-SiC SBD Modules
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 23 V
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 下降时间
- 19 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 37 A
- 耗散功率（Pd）
- 200 W
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 80 mOhms
- 上升时间
- 4 ns
- 晶体管极性
- N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 24 ns
- 典型导通延迟时间
- 4 ns
展开更多参数（3 项）
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.8 V
- 单件重量
- 1.058219 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。