MSC025SMA120J
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 31 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 SOT-227-4 封装。
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MSC025SMA120J
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 84 A、漏源导通电阻（Rds On） 31 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
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