Microchip Technology
MSC025SMA120J
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 84 A、漏源导通电阻（Rds On） 31 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
17 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 84 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 31 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 25 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5 V
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 321 W
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 下降时间
- 17 ns
- 产品
- SiC MOSFET Modules
展开更多参数（5 项）
- 上升时间
- 21 ns
- 类型
- Power MOSFET
- 典型关断延迟时间
- 41 ns
- 典型导通延迟时间
- 33 ns
- 单件重量
- 2.232632 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。