MRFG35003N6AT1
NXP / Freescale
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.55 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 10 dB、漏源击穿电压（Vds） 8 V，采用 PLD-1.5 封装。
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MRFG35003N6AT1
NXP Semiconductors
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.55 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 10 dB、漏源击穿电压（Vds） 8 V，采用 PLD-1.5 封装。
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