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MRFE6VP8600HSR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 470~860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 140 V、增益 18.8 dB,采用 NI-1230S 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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MRFE6VP8600HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 470~860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 140 V、增益 18.8 dB,采用 NI-1230S 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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