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MRF6S20010NR1

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 TO-270 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors
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MRF6S20010NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 TO-270 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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