MRF6S20010NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 TO-270 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NXP / Freescale
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 TO-270 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsNXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 TO-270 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors