MRF5812LF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOIC-8 封装。
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MRF5812LF-CP
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V，采用 SO-8 封装。
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