MPSD54
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 TO-92-3 封装。
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MPSD54 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN、单件重量 0.008614 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSD54 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、最小直流电流增益（hfe） 1000 at 5 V, 100 mA、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 TO-92-3 封装。
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