Central Semiconductor
MPSD54
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MPSD54
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 10 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1 V
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 最小直流电流增益（hfe）
- 1000
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。