MMDT5212W
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率(Pd) 200 mW、原产国家或地区 中国、商品名称 MMDT5212W,采用 SOT-323 封装。
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Diotec Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率(Pd) 200 mW、原产国家或地区 中国、商品名称 MMDT5212W,采用 SOT-323 封装。
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