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Diotec Semiconductor

MMDT5212W

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率(Pd) 200 mW、原产国家或地区 中国、商品名称 MMDT5212W,采用 SOT-323 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diotec Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
MMDT2/5
封装
SOT-323
包装方式
小卷盘

技术参数

7 项参数
晶体管极性
NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100 mA
耗散功率(Pd)
200 mW
原产国家或地区
中国
商品名称
MMDT5212W
单件重量
0.001058 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MMDT5212W 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技