MMBT5401
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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MMBT5401-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsMMBT5401-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5401LT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。
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