MJD31CT4G
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-252-3 封装。
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MJD31CT4G
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD31CT4GN
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD31CT4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD31CT4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 15 W、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD31CT4G-VF01
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。
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