MIXA80WB1200TEH
IXYS
主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、25°C 时连续集电极电流 120 A、栅射漏电流 500 nA、耗散功率（Pd） 390 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 E3-Pack 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IXYS
主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、25°C 时连续集电极电流 120 A、栅射漏电流 500 nA、耗散功率（Pd） 390 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 E3-Pack 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules