ChipSourceHub 美芯科技

IXYS

MIXA80WB1200TEH

主要参数包括最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、25°C 时连续集电极电流 120 A、栅射漏电流 500 nA、耗散功率(Pd) 390 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 E3-Pack 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
IXYS
产品类别
IGBT Modules
产品系列
MIXA80WB1200
封装
E3-Pack
包装方式
散装

技术参数

10 项参数
最大集电极-发射极电压(VCEO)
1.2 kV
25°C 时连续集电极电流
120 A
栅射漏电流
500 nA
耗散功率(Pd)
390 W
工作温度范围
-40~125 °C
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
最大栅射电压
20 V
商品名称
XPT

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MIXA80WB1200TEH 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技