MBR3540R
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 DO-4 封装。
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