LX5560LL
Microchip / Microsemi
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 2 dBm、增益 12 dB，采用 MLPG-12 封装。
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LX5560LL-13115-TR
Microchip / Microsemi
RF Amplifier LX5560LL-13115-TR
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Microchip / Microsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9～6 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 LNA，采用 MLPQ-12 封装。
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