LMG3426R030RQZR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、产品 GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。
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