IXTN120P20T
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 106 A、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms、单件重量 1.058219 oz，采用 SOT-227-4 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 106 A、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms、单件重量 1.058219 oz，采用 SOT-227-4 封装。
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