IXTA260N055T2-7IXYS主要参数包括技术 Si、类型 TrenchT2 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 55 V、连续漏极电流(Id) 260 A、漏源导通电阻(Rds On) 3.3 mOhms,采用 TO-263-7 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET查看技术资料