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2 条型号记录

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IXI859S1

IXYS

主要参数包括电源电压(最小值) 8.2 V、电源电压(最大值) 17 V、工作电源电压 13 V、输出电压 3.3 V、输出电流 120 mA、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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IXI859S1T/R

IXYS

主要参数包括技术 Si、单件重量 0.015873 oz。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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