IXGT50N90B2
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 900 V、集电极－发射极饱和电压 2.7 V、最大栅射电压 20 V、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-268-3 封装。
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IXGT50N90B2D1
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、集电极－发射极饱和电压 2.7 V、高度 5.1 mm、长度 16.05 mm、宽度 14 mm、连续集电极电流 75 A，采用 TO-268-3 封装。
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