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IXYS

IXGT50N90B2D1

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、集电极-发射极饱和电压 2.7 V、高度 5.1 mm、长度 16.05 mm、宽度 14 mm、连续集电极电流 75 A,采用 TO-268-3 封装。

基本资料

品牌 / 制造商
IXYS
产品类别
晶体管
产品系列
IXGT50N90
封装
TO-268-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
管装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

7 项参数
技术
Si
集电极-发射极饱和电压
2.7 V
高度
5.1 mm
长度
16.05 mm
宽度
14 mm
连续集电极电流
75 A
单件重量
0.158733 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

IXGT50N90B2D1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技