IXGH30N60C3
IXYS
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、集电极－发射极饱和电压 600 V、25°C 时连续集电极电流 60 A、栅射漏电流 100 nA，采用 TO-247AD-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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IXYS
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、集电极－发射极饱和电压 600 V、25°C 时连续集电极电流 60 A、栅射漏电流 100 nA，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesIXYS
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.229281 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsIXYS
主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 600 V、25°C 时连续集电极电流 60 A、栅射漏电流 100 nA、耗散功率（Pd） 220 W、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-247AD-3 封装。
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