IXYS
IXGH30N60C3
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、集电极－发射极饱和电压 600 V、25°C 时连续集电极电流 60 A、栅射漏电流 100 nA，采用 TO-247AD-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- IGBT Modules
- 产品系列
- IXGH30N60
- 封装
- TO-247AD-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Single
- 集电极－发射极饱和电压
- 600 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 60 A
- 栅射漏电流
- 100 nA
- 耗散功率（Pd）
- 220 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 高度
- 21.46 mm
- 长度
- 16.26 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 5.3 mm
- 最大栅射电压
- 20 V
展开更多参数（2 项）
- 商品名称
- GenX3
- 单件重量
- 0.229281 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。