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IXFX21N100F

IXYS

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 21 A、漏源击穿电压(Vds) 1000 V、漏源导通电阻(Rds On) 500 mOhms,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors
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