IXBT2N250
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.5 kV、集电极－发射极饱和电压 3.15 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 5 A，采用 TO-247-3 封装。
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IXBT2N250-TR
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2500 V、连续漏极电流（Id） 5 A、栅源阈值电压（Vgs th） 3 V，采用 TO-268-3 封装。
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