ISL9V3040D3STV
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-发射极饱和电压 1.25 V、最大栅射电压 10 V、25°C 时连续集电极电流 21 A,采用 DPAK-4 封装。
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ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-发射极饱和电压 1.25 V、最大栅射电压 10 V、25°C 时连续集电极电流 21 A,采用 DPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistorsonsemi
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-发射极饱和电压 1.25 V、最大栅射电压 - 10 V, 10 V、25°C 时连续集电极电流 21 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
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