onsemi
ISL9V3040D3STV
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、最大栅射电压 - 10 V, 10 V、25°C 时连续集电极电流 21 A，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- IGBTs
- 产品系列
- ISL9V3040D_F085
- 封装
- DPAK-3 (TO-252-3)
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 400 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.25 V
- 最大栅射电压
- - 10 V, 10 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 21 A
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 原产国家或地区
- VN
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。