IMD10AMT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 130 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74R 封装。
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IMD10AMT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 130 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC, 4.9 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVIMD10AMT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mVDC, 4.9 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。
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