IKB03N120H2
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、最大栅射电压 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-263-3 封装。
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