IGB110S101XTMA1
Infineon Technologies
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 CoolGaN Transistor、晶体管极性 HEMT、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 PG-VSON-4 封装。
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