HMC661LC4B
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 26 mA, 40 mA, 73 mA, 82 mA，采用 QFN-EP-24 封装。
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HMC661LC4B
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Track and Hold、工作电源电流 82 mA、最小工作温度 0 C，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC661LC4BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 26 mA, 40 mA, 73 mA, 82 mA，采用 QFN-EP-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC661LC4BTR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 SiGe、工作电源电流 82 mA、最小工作温度 0 C，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC661LC4BTR-R5
Analog Devices
RF Amplifier T/H amp 18GHz UWB
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