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HMC452ST89ETR

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 31.5 dBm,采用 SOT-89-4 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC452ST89ETR

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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