HMC311LP3E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier搜索结果
原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC311LP3 | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| HMC311LP3TR | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC311LP3E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC311LP3ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 15.5 dBm，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC311LP3ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier