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2 条原型号记录

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HMC1132LP5DEAnalog Devices
  • HMC1132PM5E
2018-10-30查看资料
HMC1132LP5DETRAnalog Devices
  • HMC1132PM5ETR
2018-10-30查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

HMC1132PM5E

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm、增益 22 dB,采用 LFCSP-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC1132PM5ETR

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm、增益 22 dB,采用 LFCSP-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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