HMC1063LP3E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 24～28 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） - 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 550 mW，采用 QFN-16 封装。
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HMC1063LP3E
Analog Devices
主要参数包括射频频率 24～28 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC1063LP3ETR
Analog Devices
RF Mixer mix, IQ, 24-28GHz
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