原型号
查看详情 · 1 条候选HIP2101IBT
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- HIP2101IBZTRenesas Electronics Corporation直接替代候选
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
HIP2101IBZT
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversHIP2101IBZT7A
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 9 VDC to 14 VDC、输出电压 0.4 V、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers