FS33MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 25 A、漏源导通电阻（Rds On） 32.3 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 4.3 V，采用 Easy1B 封装。
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