FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 40 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。
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