FS1150R08A8P3CHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Drive G2 Module、产品 Power Modules、正向电压（Vf） 1.76 V、反向电压（Vr） 400 V、最小工作温度 - 40 C，采用 DIP-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料