FP35R12KT4
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、25°C 时连续集电极电流 35 A、最小工作温度 - 40 C，采用 Econo 2 封装。
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FP35R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.85 V、25°C 时连续集电极电流 35 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesFP35R12KT4B15BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.85 V、25°C 时连续集电极电流 35 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesFP35R12KT4B16BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 FP35R12KT4_B16 SP005422468。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesFP35R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.85 V、25°C 时连续集电极电流 35 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesFP35R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.85 V、25°C 时连续集电极电流 35 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesFP35R12KT4_B11
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、25°C 时连续集电极电流 35 A、最小工作温度 - 40 C，采用 Econo 2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesFP35R12KT4_B15
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.15 V、25°C 时连续集电极电流 35 A、栅射漏电流 100 nA。
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