Infineon Technologies
FP35R12KT4_B15
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.15 V、25°C 时连续集电极电流 35 A、栅射漏电流 100 nA。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- IGBT Modules
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1200 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 2.15 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 35 A
- 栅射漏电流
- 100 nA
- 耗散功率（Pd）
- 210 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 技术
- Si
- 最大栅射电压
- 20 V
- 型号别名
- FP35R12KT4B15BOSA1 SP000408732
- 单件重量
- 7.372258 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。