FOD2712A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。
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FOD2712A
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Optically Isolated AmplifiersFOD2712AR2
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2712AR2
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Optically Isolated AmplifiersFOD2712AR2V
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2712AR2V
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Optically Isolated AmplifiersFOD2712AV
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2712AV
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。
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