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FOD2712AR2

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
Optically Isolated Amplifiers
产品系列
FOD2712A
封装
SOIC-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

13 项参数
输出类型
NPN Phototransistor
通道数
1 个通道
隔离电压
2500 Vrms
正向电压(Vf)
1.5 V
工作温度范围
-40~85 °C
原产国家或地区
TH
电流传输比
100 %
最大集电极电流
50 mA
最大集电极-发射极饱和电压
400 mV
最大集电极-发射极电压
30 V
耗散功率(Pd)
145 mW
基准电压
1.24 V
展开更多参数(1 项)
单件重量
0.019048 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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