FJPF13009H1TU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 12 A、增益带宽积(fT) 4 MHz、最小直流电流增益(hfe) 6,采用 TO-220F-3 封装。
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ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 12 A、增益带宽积(fT) 4 MHz、最小直流电流增益(hfe) 6,采用 TO-220F-3 封装。
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